উচ্চতর দক্ষতার পাতলা ফিল্ম সৌর কোষে অগ্রগতি

AMOLF গ্রুপ দ্বারা পাতলা ফিল্ম ফটোভোলটাইক কোষগুলির সাথে রেকর্ড রূপান্তর দক্ষতা পৌঁছেছে।

AMOLF গ্রুপের নেতা এথার অ্যালারকন ল্লাডো বলেছেন: "আমাদের প্যাটার্নগুলির শক্তিশালী আলোক ফাঁদ পারফরম্যান্সের উপর ভিত্তি করে, আমরা অনুমান করি যে 20 μm-পুরু c-Si কোষের জন্য 1% এর উপরে PV দক্ষতা অর্জন করা যেতে পারে, যা নমনীয়তার দিকে একটি সম্পূর্ণ অগ্রগতির প্রতিনিধিত্ব করবে। , লাইটওয়েট c-Si PV.

এছাড়াও, পাতলা Si শোষকগুলি পুরু অংশগুলির তুলনায় বৈদ্যুতিন ত্রুটিগুলির প্রতি আরও সহনশীল। এর মানে হল যে উচ্চ দক্ষতার সাথে পাতলা Si কোষগুলি নিম্ন গ্রেডের সিলিকন থেকেও তৈরি করা যেতে পারে, যার ফলে কাঁচা Si পরিশোধনের জন্য শক্তির চাহিদা হ্রাস পায় এবং তাদের শক্তি পরিশোধের সময় হ্রাস করে। হাইপারইনিফর্ম প্যাটার্নযুক্ত পাতলা পিভি একটি অত্যন্ত প্রতিশ্রুতিশীল প্রযুক্তি। যদিও এই ধরনের পাতলা উচ্চ দক্ষতা কোষগুলিকে আমাদের জীবন্ত পরিবেশের অংশ করার জন্য এখনও প্রচুর কাজ করা বাকি আছে, এই কাজটি আমাদের খুব আশাবাদী করে তোলে যে এটি শীঘ্রই ঘটবে।"

হাইপারইনিফর্ম টেক্সচার সহ এক মাইক্রন সি স্ল্যাবে 65% এর বেশি সূর্যালোক শোষণ

নাসিম তাভাকোলি, রিচার্ড স্প্যাল্ডিং, আলেকজান্ডার ল্যাম্বার্টজ, পেপিজন কোপেজান, জর্জিওস গকান্টজাউনিস, চেংলং ওয়ান, রুসলান রোহরিচ, ইভজেনিয়া কন্টোলেটা, এ. ফেমিয়াস কোয়েনডেরিঙ্ক, রিকার্ডো সাপিয়েঞ্জা, মারিয়ান ফ্লোরেস্কু এবং এথার আলার্কন-লাডো
ACS ফটোনিক্স 2022 9 (4), 1206-1217
DOI: 10.1021/acsphotonics.1c01668

পাতলা, নমনীয়, এবং অদৃশ্য সৌর কোষ অদূর ভবিষ্যতে একটি সর্বব্যাপী প্রযুক্তি হবে। আল্ট্রাথিন স্ফটিক সিলিকন (c-Si) কোষগুলি লাইটওয়েট এবং যান্ত্রিকভাবে নমনীয় হওয়ার সময় বাল্ক সিলিকন কোষগুলির সাফল্যকে পুঁজি করে, কিন্তু দুর্বল শোষণ এবং দক্ষতার দ্বারা ভোগে। এখানে আমরা পৃষ্ঠের টেক্সচারিংয়ের একটি নতুন পরিবার উপস্থাপন করছি, যা পারস্পরিক বিশৃঙ্খল হাইপারইনিফর্ম প্যাটার্নের উপর ভিত্তি করে, সিলিকন স্ল্যাব অপটিক্যাল মোডগুলিতে ঘটনার বর্ণালীকে দক্ষতার সাথে সংযুক্ত করতে সক্ষম। আমরা পরীক্ষামূলকভাবে 66.5 থেকে 1 এনএম বর্ণালী পরিসরের জন্য হাইপারইনিফর্ম ন্যানোস্ট্রাকচারিং দ্বারা ফ্রি-স্ট্যান্ডিং 400 μm c-Si স্তরগুলিতে 1050% সৌর আলো শোষণ প্রদর্শন করি। আমাদের পরিমাপ থেকে প্রাপ্ত শোষণ সমতুল্য ফটোক্যুরেন্ট হল 26.3 mA/cm2, যা একই ধরনের পুরুত্বের Si এর জন্য সাহিত্যে পাওয়া সর্বোচ্চ। অত্যাধুনিক Si PV প্রযুক্তি বিবেচনা করে, আমরা অনুমান করি যে বর্ধিত আলোর ফাঁদে ফেলার ফলে কোষের কার্যক্ষমতা 15% এর উপরে হতে পারে। একটি ব্যাক-রিফ্লেক্টর এবং উন্নত অ্যান্টিরিফ্লেকশন অন্তর্ভুক্ত করে আলোর শোষণ সম্ভাব্যভাবে 33.8 mA/cm2 পর্যন্ত বাড়ানো যেতে পারে, যার জন্য আমরা 21 μm পুরু Si কোষের জন্য 1% এর উপরে ফটোভোলটাইক দক্ষতা অনুমান করি।

আরেকটি সৌর কোষ বৈজ্ঞানিক অর্জন

দ্বিতীয়টি হল CZTSSe (তামা, দস্তা, কিছু সালফার এবং সেলেনিয়াম সহ টিন) পাতলা-ফিল্ম সোলার সেল সম্পর্কে, যা পরিবেশ-বান্ধব সাধারণ-উদ্দেশ্য পাতলা-ফিল্ম সোলার সেল। এগুলি সিলিকনের পরে, ভবিষ্যতের অন্যতম প্রভাবশালী/মূলধারার পাতলা ফিল্ম (এবং স্থানচ্যুত পুরু ফিল্ম) সৌর কোষের ধরন হতে পারে।

বাল্ক উপাদান স্তর(গুলি) এর জন্য কোন ইন্ডিয়াম নেই, এইভাবে ইন্ডিয়ামের চারপাশে সরবরাহের সমস্যাগুলি হ্রাস করে।
গ্যালিয়াম সম্পর্কে চিন্তিত লোকেদের জন্য যে কোনও স্তরের বাল্ক হিসাবে গ্যালিয়ামের প্রয়োজন নেই।

পরিবেশ বান্ধব সৌর কোষ ত্রুটির কারণগুলি সমাধান করে বিদ্যুৎ উৎপাদনের দক্ষতা উন্নত করে।
ডিজিআইএসটি - ডেগু গিয়াংবুক ইনস্টিটিউট অফ সায়েন্স অ্যান্ড টেকনোলজি

কাগজ:
CZTSSe থিন ফিল্মে ভলিউম-ডিফেক্ট গঠনের উপর মেটাল-প্রিকার্সর স্ট্যাকিং অর্ডারের প্রভাব: ফোসকা এবং ন্যানোপোরস গঠনের প্রক্রিয়া
সে-ইয়ুন কিম, সেউং-হিউন কিম, দা-হো সন, হাইসুন ইউ, সিওংইয়ন কিম, সামি কিম, ইয়ং-ইল কিম, সি-নাই পার্ক, ডং-হোয়ান জিওন, জায়েবেক লি, হিও-জিয়ং জো, শি-জুন সুং, ডাই-কু হোয়াং, কি-জিয়ং ইয়াং, দা-হোয়ান কিম এবং জিন-কিউ কাং
ACS ফলিত উপকরণ এবং ইন্টারফেস 2022 14 (27), 30649-30657
DOI: 10.1021/acsami.2c01892 https://dx.doi.org/10.1021/acsami.2c01892 https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.2c01892