Samsung strebt eine Massenproduktion von 2 nm bis 2025 und 1.4 nm bis 2027 an

Samsung hat eine neue Roadmap, die auf die Massenproduktion von 2-nm-Prozesstechnologie bis 2025 und 1.4-nm-Prozesstechnologie bis 2027 abzielt.

TSMC plant, 2 mit der Produktion von 2025-nm-Chips zu beginnen.

Intel Foundry Services (IFS) plant, bis 18 einen eigenen GAA-basierten Prozess an seinem 2-A-Knoten anzubieten, der 2024 nm entspricht.

Samsung plant, seine Produktionskapazität für die Advanced Nodes bis 3 um mehr als das Dreifache zu erweitern.

Nicht-mobile Anwendungen, einschließlich HPC und Automotive, werden voraussichtlich bis 50 mehr als 2027 % des Foundry-Portfolios ausmachen.

Samsung Foundry stärkt seine Kundendienstkapazitäten in seinem Partner-Ökosystem.

Samsung prognostiziert ein erhebliches Marktwachstum in den Bereichen High Performance Computing (HPC), künstliche Intelligenz (KI), 5/6G-Konnektivität und Automobilanwendungen. Die Nachfrage nach fortschrittlichen Halbleitern ist dramatisch gestiegen, wodurch Innovationen in der Halbleiterprozesstechnologie für den Geschäftserfolg von Foundry-Kunden von entscheidender Bedeutung sind . Zu diesem Zweck betonte Samsung sein Engagement, seine fortschrittlichste Prozesstechnologie, 1.4 Nanometer (nm), im Jahr 2027 für die Massenproduktion bereitzustellen.

Während der Veranstaltung stellte Samsung auch Schritte seines Foundry-Geschäfts vor.

Samsung war das erste Unternehmen, das die 3-nm-Prozesstechnologie in der Massenproduktion eingesetzt hat. Samsung wird die Gate-All-Around (GAA)-basierte Technologie weiter verbessern und plant die Einführung des 2-nm-Prozesses im Jahr 2025 und des 1.4-nm-Prozesses im Jahr 2027.

Samsung leistet nicht nur Pionierarbeit in Prozesstechnologien, sondern beschleunigt auch die Entwicklung von 2.5D/3D-Packaging-Technologien mit heterogener Integration, um eine Gesamtsystemlösung für Foundry-Services bereitzustellen.

Durch kontinuierliche Innovation wird sein 3D-Verpackungs-X-Cube mit Micro-Bump-Verbindung im Jahr 2024 für die Massenproduktion bereit sein, und der buckellose X-Cube wird 2026 verfügbar sein.

Anteil von HPC, Automotive und 5G soll bis 50 mehr als 2027 % betragen
Samsung plant aktiv, Halbleitermärkte mit hoher Leistung und geringem Stromverbrauch wie HPC, Automobil, 5G und das Internet der Dinge (IoT) anzusprechen.

Um die Bedürfnisse der Kunden besser zu erfüllen, wurden während des diesjährigen Foundry Forums kundenspezifische und maßgeschneiderte Prozessknoten vorgestellt. Samsung wird seine GAA-basierte 3-nm-Prozessunterstützung für HPC und Mobilgeräte verbessern und gleichzeitig den 4-nm-Prozess, der auf HPC- und Automobilanwendungen spezialisiert ist, weiter diversifizieren.

Speziell für Automobilkunden bietet Samsung derzeit eingebettete nichtflüchtige Speicherlösungen (eNVM) auf Basis der 28-nm-Technologie an. Um die Zuverlässigkeit auf Automobilniveau zu unterstützen, plant das Unternehmen, die Prozessknoten durch die Einführung von 14-nm-eNVM-Lösungen im Jahr 2024 und das Hinzufügen von 8-nm-eNVM in der Zukunft weiter auszubauen. Samsung hat 8-nm-HF nach 14-nm-HF in Massenproduktion hergestellt, und 5-nm-HF befindet sich derzeit in der Entwicklung.

„Shell-First“-Betriebsstrategie, um zeitnah auf Kundenanforderungen zu reagieren
Samsung plant, seine Produktionskapazität für die Advanced Nodes bis 2027 im Vergleich zu diesem Jahr um mehr als das Dreifache zu erweitern.

Einschließlich der im Bau befindlichen neuen Fabrik in Taylor, Texas, befinden sich die Gießerei-Fertigungslinien von Samsung derzeit an fünf Standorten: Giheung, Hwaseong und Pyeongtaek in Korea; und Austin und Taylor in den Vereinigten Staaten.

Auf der Veranstaltung erläuterte Samsung seine „Shell-First“-Strategie für Kapazitätsinvestitionen, bei der unabhängig von den Marktbedingungen zuerst Reinräume gebaut werden. Da Reinräume leicht verfügbar sind, können Fab-Geräte später installiert und je nach Bedarf flexibel für zukünftige Anforderungen eingerichtet werden. Durch die neue Investitionsstrategie wird Samsung in der Lage sein, besser auf die Anforderungen der Kunden einzugehen.

Außerdem wurden Investitionspläne für eine neue „Shell-First“-Fertigungslinie in Taylor nach der im vergangenen Jahr angekündigten ersten Linie sowie eine potenzielle Erweiterung des globalen Halbleiterproduktionsnetzwerks von Samsung vorgestellt.

Ausbau des SAFE-Ökosystems zur Stärkung maßgeschneiderter Services
Im Anschluss an das „Samsung Foundry Forum“ veranstaltet Samsung am 4. Oktober das „SAFE Forum“ (Samsung Advanced Foundry Ecosystem). Neue Foundry-Technologien und -Strategien mit Ökosystempartnern werden vorgestellt, die Bereiche wie Electronic Design Automation (EDA), IP, Outsourced Semiconductor Assembly and Test (OSAT), Design Solution Partner (DSP) und die Cloud umfassen.

Zusätzlich zu den 70 Partnerpräsentationen werden die Teamleiter der Samsung Design Platform die Möglichkeit vorstellen, Samsungs Prozesse wie Design Technology Co-Optimization für GAA und 2.5D/3DIC anzuwenden.

Ab 2022 stellt Samsung mehr als 4,000 IPs mit 56 Partnern bereit und kooperiert auch mit neun bzw. 22 Partnern bei der Designlösung bzw. EDA. Es bietet auch Cloud-Dienste mit neun Partnern und Verpackungsdienste mit 10 Partnern an.

Zusammen mit seinen Ökosystempartnern bietet Samsung integrierte Dienste, die Lösungen vom IC-Design bis hin zu 2.5D/3D-Gehäusen unterstützen.

Durch sein robustes SAFE-Ökosystem plant Samsung, neue Fabless-Kunden zu identifizieren, indem es kundenspezifische Dienste mit verbesserter Leistung, schneller Lieferung und preislicher Wettbewerbsfähigkeit stärkt und gleichzeitig aktiv neue Kunden wie Hyperscaler und Start-ups anzieht.

Beginnend in den Vereinigten Staaten (San Jose) am 3. Oktober, wird das „Samsung Foundry Forum“ nacheinander in Europa (München, Deutschland) am 7., Japan (Tokio) am 18. und Korea (Seoul) am 20. stattfinden. durch die maßgeschneiderte Lösungen für jede Region vorgestellt werden. Eine Aufzeichnung der Veranstaltung wird ab dem 21. für diejenigen, die nicht persönlich teilnehmen konnten, online verfügbar sein.