ผลึกเดี่ยวโบรอนอาร์เซไนด์ที่มีค่าการนำความร้อนสูงเป็นพิเศษและการเคลื่อนที่ของพาหะ – โลกฟิสิกส์

เซมิคอนดักเตอร์เป็นส่วนที่สำคัญที่สุดของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ เซมิคอนดักเตอร์ที่ดีควรมีช่องว่างแถบความถี่ที่เหมาะสม มีการเคลื่อนที่ของพาหะสูงทั้งอิเล็กตรอนและรู และมีการนำความร้อนสูง แต่เซมิคอนดักเตอร์ที่มีอยู่ในปัจจุบันไม่ตรงตามข้อกำหนด โบรอนอาร์เซไนด์ (BAs) ดูเหมือนจะเป็นเซมิคอนดักเตอร์ในอุดมคติ มีแถบความถี่ ~2.1 eV ความคล่องตัวของพาหะสูงกว่า 1400 ซม² s^-1 V^-1 สำหรับทั้งอิเล็กตรอนและรู ค่าการนำความร้อนแบบไอโซโทรปิกสูงกว่า 1300 W m^-1 K^-1 ที่อุณหภูมิห้อง

ในการสัมมนาผ่านเว็บนี้ วิทยากร Zhifeng Ren จะนำเสนอเกี่ยวกับสิ่งที่ได้ทำไปแล้วและสิ่งที่คาดหวังสำหรับเนื้อหาพิเศษนี้

จือเฟิง เหริน เป็นศาสตราจารย์ MD Anderson ในภาควิชาฟิสิกส์ที่มหาวิทยาลัยฮูสตัน และเป็นผู้อำนวยการ Texas Center for Superconductivity ที่มหาวิทยาลัยฮูสตัน (TcSUH) เขาได้รับปริญญาเอกจากสถาบันฟิสิกส์ของ Chinese Academy of Sciences ในประเทศจีนในปี 1990 เขาเป็นเพื่อนหลังปริญญาเอกและอาจารย์วิจัยที่ SUNY Buffalo (1990–1999) ก่อนที่จะร่วมงานกับ Boston College ในตำแหน่งรองศาสตราจารย์ในปี 1999 เขาเชี่ยวชาญ ในสาขาต่างๆ เช่น วัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกที่มีโครงสร้างนาโน ตัวเร่งปฏิกิริยาที่ไม่ใช่โลหะสำหรับการแยกน้ำด้วยไฟฟ้า ผลึกเดี่ยวโบรอนอาร์เซไนด์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดใหม่ที่มีค่าการนำความร้อนสูงเป็นพิเศษและการเคลื่อนย้ายตัวพา โซเดียมนาโนฟลูอิดสำหรับการนำน้ำมันกลับมาใช้ใหม่และการทำความสะอาด ระบบซุปเปอร์คอนดักเตอร์แบบลอยตัวสำหรับการขนส่งและการจัดเก็บพลังงาน และการขนส่งคน/สินค้า

• เนื้อหาที่ขับเคลื่อนด้วย SEO และการเผยแพร่ประชาสัมพันธ์ รับการขยายวันนี้
• การเงิน EVM ส่วนต่อประสานแบบครบวงจรสำหรับการเงินแบบกระจายอำนาจ เข้าถึงได้ที่นี่.
• กลุ่มสื่อควอนตัม IR/PR ขยาย เข้าถึงได้ที่นี่.
• เพลโตไอสตรีม. ข้อมูลอัจฉริยะ Web3 ขยายความรู้ เข้าถึงได้ที่นี่.
• ที่มา: https://physicsworld.com/a/boron-arsenide-single-crystals-with-ultrahigh-thermal-conductivity-and-carrier-mobility/