英特尔的 James Clarke 拥有 300 毫米硅自旋量子比特晶圆（图片来源：英特尔）
英特尔今天宣布，它已经展示了迄今为止业界报告的硅自旋量子比特器件的最高产量和一致性。 该公司表示：“这一成就代表了在英特尔晶体管制造工艺上扩展和制造量子芯片的一个重要里程碑。”
英特尔表示，这项研究是使用其第二代硅自旋测试芯片进行的。 使用 Intel 测试设备 低温探针，一种在低温（1.7 开尔文或-271.45 摄氏度）下运行的量子点测试设备，该团队隔离了 12 个量子点和四个传感器。 英特尔表示，这一结果是业界最大的硅电子自旋器件，在整个 300 毫米硅晶片的每个位置都有一个电子。
这些设备是在位于俄勒冈州希尔斯伯勒的 Ronler Acres 的英特尔晶体管研发机构 Gordon Moore Park 开发的。
今天的硅自旋量子比特通常呈现在一个设备上，而英特尔的研究证明了整个晶圆的成功。 这些芯片采用极紫外 (EUV) 光刻技术制造，显示出均匀性，整个晶圆的成品率达到 95%。 低温探测器的使用与强大的软件自动化相结合，在最后一个电子上实现了 900 多个单量子点和 400 多个双点，可以在不到 24 小时内将其表征为比绝对零高 XNUMX 度。
该公司表示，与以前的英特尔测试芯片相比，在低温下表征的设备的良率和均匀性提高，使英特尔能够使用统计过程控制来确定制造过程中需要优化的区域。 这加速了学习，代表了向商业量子计算机所需的数千甚至数百万量子比特迈出的关键一步。
此外，跨晶圆良率使英特尔能够在单电子状态下自动收集晶圆上的数据，从而实现迄今为止最大的单量子点和双量子点演示。 该公司表示，与以前的英特尔测试芯片相比，这种在低温下表征的设备的产量和均匀性的提高“代表了朝着商业量子计算机所需的数千甚至数百万量子比特迈出的关键一步”。
英特尔的 30 毫米硅自旋量子比特晶圆（来源：英特尔）
“英特尔继续在使用自己的晶体管制造技术制造硅自旋量子比特方面取得进展，”英特尔量子硬件总监詹姆斯克拉克说。 “所实现的高产量和均匀性表明，在英特尔已建立的晶体管工艺节点上制造量子芯片是一种合理的策略，并且随着技术成熟以实现商业化，是成功的有力指标。”
“未来，我们将继续提高这些设备的质量并开发更大规模的系统，以这些步骤作为构建模块，帮助我们快速推进，”克拉克说。
