تک بلورهای آرسنید بور با هدایت حرارتی فوق العاده بالا و تحرک حامل - دنیای فیزیک

نیمه هادی ها مهمترین بخش الکترونیک مدرن هستند. یک نیمه هادی خوب باید دارای شکاف باند مناسب، تحرک حامل بالا در الکترون ها و سوراخ ها و رسانایی حرارتی بالا باشد، اما نیمه هادی های موجود در حال حاضر الزامات را برآورده نمی کنند. به نظر می رسد آرسنید بور (BAs) نیمه هادی ایده آل باشد. دارای فاصله باند ~2.1 eV، تحرک حامل بالای 1400 سانتی متر² s^-1 V^-1 برای الکترون ها و حفره ها، هدایت حرارتی همسانگرد بالاتر از 1300 وات متر است^-1 K^-1 در دمای اتاق.

در این وبینار، سخنران، ژیفنگ رن، در مورد آنچه انجام شده است و آنچه برای این ماده خاص انتظار می رود ارائه می دهد.

ژیفنگ رن استاد کرسی MD اندرسون در گروه فیزیک در دانشگاه هیوستون، و مدیر مرکز تگزاس برای ابررسانایی در دانشگاه هیوستون (TcSUH) است. او دکترای خود را از مؤسسه فیزیک آکادمی علوم چین در چین در سال 1990 اخذ کرد. او قبل از پیوستن به کالج بوستون به عنوان دانشیار در سال 1990، یک همکار فوق دکترا و عضو هیئت علمی پژوهشی در SUNY Buffalo (1999-1999) بود. در زمینه هایی مانند مواد ترموالکتریک نانوساختار، کاتالیزورهای غیر فلزات نجیب برای الکترولیز آب، تک بلورهای نیمه هادی جدید آرسنید بور با رسانایی حرارتی فوق العاده بالا و تحرک حامل، نانوسیال سدیم برای افزایش بازیافت و تمیز کردن نفت، ابر سیستم شناور ابررسانا برای انتقال انرژی و و حمل و نقل مردم/کالا.

• محتوای مبتنی بر SEO و توزیع روابط عمومی. امروز تقویت شوید.
• EVM Finance. رابط یکپارچه برای امور مالی غیرمتمرکز دسترسی به اینجا.
• گروه رسانه ای کوانتومی. IR/PR تقویت شده دسترسی به اینجا.
• PlatoAiStream. Web3 Data Intelligence دانش تقویت شده دسترسی به اینجا.
• منبع: https://physicsworld.com/a/boron-arsenide-single-crystals-with-ultrahigh-thermal-conductivity-and-carrier-mobility/