1卡文迪什实验室,剑桥大学,JJ Thomson Avenue,剑桥 CB3 0HE,英国
2量子运动,9 Sterling Way,伦敦 N7 9HJ,英国
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抽象
动态运行的半导体量子点是量子传感器和计算机等许多量子技术的基础。因此,在微波频率下对其电特性进行建模对于模拟其在大型电子电路中的性能至关重要。在这里,我们开发了一种自洽的量子主方程形式,以获得在相干光子浴的作用下量子点隧道耦合到电荷库的导纳。我们找到了导纳的通用表达式,它捕获了众所周知的半经典(热)极限,以及由于与储存库的耦合和光子驱动振幅的增加而分别向寿命和功率展宽状态的转变。此外,我们描述了两种新的光子介导的机制:由 QD 态的修饰决定的 Floquet 展宽,以及由系统中的光子损失决定的展宽。我们的结果提供了一种在广泛的限制范围内模拟量子点高频行为的方法,描述了过去的实验,并提出了量子点-光子相互作用的新颖探索。
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