东京，02 年 2021 月 2 日 – (JCN Newswire) – DENSO Corporation 通过开发采用 DENSO 专有结构的 SiC（碳化硅）功率半导体，为推广电动汽车的使用、延长其行驶里程并减少车辆的二氧化碳排放做出了贡献和加工技术，并将其应用于车载产品中。
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| 碳化硅功率卡 |
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| 升压电源模块 |
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功率半导体就像人体的肌肉。 它根据 ECU（大脑）的命令移动逆变器和电机（肢体）等组件。 车载产品中使用的典型功率半导体由硅 (Si) 制成。 相比之下，SiC在高温、高频、高压环境下具有优越的性能，有助于显着降低逆变器的功率损耗、尺寸和重量。 因此，SiC器件因其加速车辆电气化而引起了人们的关注。
例如，采用 DENSO 的 SiC 功率半导体的升压电源模块，与采用 Si 功率半导体的传统产品相比，体积缩小约 30%，功率损耗减少 70%。 结果，产品变得更小，车辆燃油效率得到提高。
DENSO 将这些 SiC 技术称为“REVOSIC”，传达通过创新技术对社会进行“改变”的理念。 该公司一直在开发从晶圆到功率模块的全面技术，并将继续研发REVOSIC SiC技术并将其广泛应用于电动汽车，以帮助实现脱碳社会。
开发商介绍
森野智雄 / R&D.Dept.4，电源模块工程师分区
我负责与功率模块设计部门一起确定SiC功率半导体的规格，并根据规格设计器件结构。 SiC 与 Si 相比电阻较低，因此电流更容易流动。 由于这种特性，原型 SiC 器件会因大电流的突然浪涌而损坏。 我们与其他部门合作，讨论如何在充分利用SiC低损耗性能的同时，防止市场上的器件损坏，最终用我们部门一个人想不出的办法解决了这个问题：高速使用特殊的驱动IC来切断电流。
目前，配备SiC的产品还很少，但随着电动汽车的普及，我们将增加配备SiC的产品数量，从而减少二氧化碳排放。
Tomohiro Mimura / 研发第四部，电源模块工程师分区
我负责SiC功率半导体器件的制造工艺设计。 SiC的硬度仅次于金刚石，因此比Si更难加工。 我努力设计出一种能够稳定处理小于一微米的微观结构的量产工艺。DENSO多年来一直在研究SiC，因此有很多前辈和资深员工。 为了用SiC解决这个问题，我经常与资深员工交谈，学习他们的经验和诀窍，并充分利用现有技术。 这使得该产品的商业化成为可能。
我希望进一步提高器件的性能和质量，降低成本，使SiC能够应用于更多的产品中。
Satoru Sugita / 设计第二部，电源模块工程分区
我负责安装设计。 我负责确定在功率卡中安装 SiC 功率半导体所需的确保可靠性的要求（例如材料、尺寸、加工条件）。 在设计过程中，由于SiC材料的特性之一杨氏模量*高（约为Si的三倍），因此出现了安装缺陷。 当使用Si时，不会出现这样的缺陷。 为了应对这种前所未有的现象，有必要超越传统观念进行横向思考。 为了准确地理解问题，我聘请了内部专业部门和外部分析仪器制造商，收集不同的观点，进行现地现物现场验证。 这有助于解决问题并将发现反映在设计要求中。
我希望通过鼓励许多客户在各种产品中安装SiC功率半导体，为电动汽车的使用做出贡献，并帮助创建脱碳社会。
*杨氏模量：表示材料硬度的数值。 它也称为弹性系数。
