Cristalli singoli di arseniuro di boro con conduttività termica e mobilità dei portatori ultraelevate - Mondo della fisica

I semiconduttori sono la parte più importante dell'elettronica moderna. Un buon semiconduttore dovrebbe avere il giusto intervallo di banda, un'elevata mobilità dei portatori sia negli elettroni che nelle lacune e un'elevata conducibilità termica, ma i semiconduttori attualmente disponibili non soddisfano i requisiti. L'arseniuro di boro (BAs) sembra essere il semiconduttore ideale. Ha un bandgap di ~ 2.1 eV, mobilità del vettore superiore a 1400 cm² s^-1 V^-1 sia per gli elettroni che per le lacune, conducibilità termica isotropa superiore a 1300 W m^-1 K^-1 a temperatura ambiente.

In questo webinar, il relatore, Zhifeng Ren, presenterà cosa è stato fatto e cosa ci si aspetta da questo materiale speciale.

Zhifeng Ren è MD Anderson Chair Professor presso il Dipartimento di Fisica dell'Università di Houston e direttore del Texas Center for Superconductivity presso l'Università di Houston (TcSUH). Ha conseguito il dottorato di ricerca presso l'Istituto di fisica dell'Accademia cinese delle scienze in Cina nel 1990. È stato borsista post-dottorato e membro della facoltà di ricerca presso SUNY Buffalo (1990–1999) prima di entrare a far parte del Boston College come professore associato nel 1999. Si è specializzato in campi come materiali termoelettrici nanostrutturati, catalizzatori di metalli non nobili per l'elettrolisi dell'acqua, nuovi cristalli singoli di arseniuro di boro semiconduttore con conducibilità termica ultraelevata e mobilità del vettore, nanofluido di sodio per un migliore recupero e pulizia dell'olio, super sistema levitato superconduttore per il trasporto e lo stoccaggio di energia e trasporto persone/merci.

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• Fonte: https://physicsworld.com/a/boron-arsenide-single-crystals-with-ultrahigh-thermal-conductivity-and-carrier-mobility/